Saggar silikon karbida
Seri produk silikon karbidaSaggar silikon karbida adalah wadah kiln dari SiC ultra-murni lewat pengecoran dan sintering presisi. Konduktivitas termal sangat tinggi, tahan siklus termal, tahan uap alkali/litium, creep nol pada suhu tinggi untuk throughput kiln dan yield produk maksimal.
| Parameter | Spesifikasi |
|---|---|
| Material | Recrystallized SiC (RSiC) / Reaction Bonded SiC (SiSiC) |
| Suhu layanan maks.erature | 1450°C ~ 1650°C |
| Densitas curah | 2.70 ~ 3.05 g/cm³ |
| Kuat tekan dingin | ≥ 120 MPa |
| Bending Strength (1400℃) | ≥ 50 ~ 100 MPa |
| Konduktivitas termal (1000℃) | ≥ 28 ~ 42 W/(m·K) |
| Thermal Shock Resistance (1100℃ Water Quench) | ≥ 30 cycles without cracking |
Pengantar material
Saggar silikon karbida (SiC) adalah kiln furniture berkinerja tinggi. Dibanding saggar kordierit-mullit atau korundum, SiC punya konduktivitas termal 3–5 kali lebih tinggi dan koefisien ekspansi termal jauh lebih rendah. Menjamin distribusi suhu cepat dan merata di roller kiln dan pusher kiln, menghilangkan gradien termal, dan menaikkan konsistensi sintering serbuk.
Saggar SiC punya tahan creep tinggi dan kapasitas beban unggul pada suhu tinggi berkelanjutan, mencegah sagging, warping, atau distorsi cawan. Permukaan tahan api padat menahan erosi kimia garam litium dan atmosfer sintering korosif, menjaga kemurnian serbuk dan umur siklus panjang.
Fitur produk
- Konduktivitas termal tinggi & hemat energi: transfer panas cepat mempersingkat siklus soak dan mengurangi konsumsi daya kiln.
- Tahan kejut termal tinggi: ekspansi termal rendah memungkinkan siklus panas-dingin cepat dengan risiko retak lebih rendah.
- Kekuatan suhu tinggi & anti-warpage: menjaga integritas struktural dan geometri datar setelah pembakaran suhu tinggi berulang di bawah beban.
- Tahan korosi kimia & anti-lengket: menahan uap litium, alkali, dan atmosfer gas pelindung, mencegah kontaminasi bahan.
- Konfigurasi kustom serbaguna: saggar persegi satu/multi-kompartemen, saggar bundar, berlubang, dan desain modular kustom.
Parameter spesifikasi
| Properti | Satuan | Recrystallized SiC (RSiC) | Reaction Bonded SiC (SiSiC) | Nitride Bonded SiC (NSiC) |
|---|---|---|---|---|
| Kadar SiC | % | ≥ 98 | ≥ 88 | ≥ 75 |
| Densitas curah | g/cm³ | ≥ 2.70 | ≥ 3.02 | ≥ 2.65 |
| Porositas semu | % | ≤ 15 | ≤ 0.5 | ≤ 14 |
| Kuat lentur (20℃) | MPa | ≥ 90 | ≥ 250 | ≥ 160 |
| Flexural Strength (1400℃) | MPa | ≥ 100 | ≥ 280 (1200℃) | ≥ 180 |
| Refractoriness Under Load (0.2MPa) | ℃ | > 1700 | > 1380 | > 1650 |
| Suhu layanan maks.erature | ℃ | 1650 | 1380 | 1500 |
| Konduktivitas termal (1000℃) | W/(m·K) | ≥ 30 | ≥ 42 | ≥ 22 |
| Thermal Shock Siklus (1100℃ Water Quench) | Siklus | ≥ 35 | ≥ 30 | ≥ 25 |
