製品詳細

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炭化ケイ素ポット

炭化ケイ素製品シリーズ

炭化ケイ素ポットおよびタンク(反応焼結SiSiC/再結晶RSiC)は、高純度炭化ケイ素微粉を精密スリップキャスティングと高温焼結で製造します。高熱伝導率、極端な酸・アルカリ耐食性、高強度、寸法安定性を提供します。

項目仕様
材質Reaction Bonded (SiSiC) / Recrystallized (RSiC)
最高使用温度1380°C ~ 1650°C
かさ密度2.70 ~ 3.05 g/cm³
常温圧縮強さ≥ 120 ~ 250 MPa
熱伝導率(1000℃)≥ 30 ~ 45 W/(m·K)
Corrosion Resistance強酸、アルカリ、溶融塩に強い

材料紹介

炭化ケイ素(SiC)ポットおよびタンクは高性能構造セラミック容器です。モース硬度9.2~9.5(ダイヤモンドと炭化ホウ素に次ぐ)で、卓越した耐摩耗性と化学的不活性を備えます。

熱濃厚酸、アルカリ、溶融塩環境で、SiCは腐食攻撃に対し卓越した抵抗を示します。さらに熱伝導率は従来酸化物耐火物の5〜10倍で、迅速・均一な熱交換を促進し反応/結晶化サイクルを短縮します。

製品特長

  • 卓越した耐食性:硫酸、塩酸、硝酸、強アルカリ、溶融塩に汚染なく耐えます。
  • 高熱伝導・均一伝熱:ホットスポットをなくし温度均一性を最適化します。
  • Superior Thermal Shock Resistance: Low thermal expansion coefficient prevents cracking under severe temperature cycling.
  • 高温高強度・耐クリープ:1400°C以上でも高い機械強度を保持し、強いクリープ抵抗が変形・漏洩リスク低減に役立ちます。
  • Custom Sizes & Shapes: Available in cylindrical, flanged, flat-bottom, or round-bottom configurations.

仕様パラメータ

指標 単位 Reaction Bonded SiC (SiSiC) Recrystallized SiC (RSiC)
SiC含有量%≥ 88≥ 98
かさ密度g/cm³≥ 3.02≥ 2.70
見かけ気孔率%≤ 0.5≤ 15
Cold MORMPa≥ 250≥ 90
High Temp MOR (1200℃/1400℃)MPa≥ 280 (1200℃)≥ 100 (1400℃)
最高使用温度13801650
熱伝導率(1000℃)W/(m·K)≥ 42≥ 30
Thermal Shock 回数 (1100℃ water quench)回数≥ 30≥ 35