




Hộp nung carbide silic là thùng lò chế tạo từ SiC siêu tinh khiết bằng đúc và thiêu kết độ chính xác cao. Dẫn nhiệt cực cao, bền chu kỳ nhiệt, chống hơi kiềm/lithium, không biến dạng creep ở nhiệt độ cao — tối đa thông lượng lò và năng suất sản phẩm.
| Thông số | Quy cách |
|---|---|
| Vật liệu | Recrystallized SiC (RSiC) / Reaction Bonded SiC (SiSiC) |
| Nhiệt độ sử dụng tối đaerature | 1450°C ~ 1650°C |
| Khối lượng thể tích | 2.70 ~ 3.05 g/cm³ |
| Cường độ chịu nén nguội | ≥ 120 MPa |
| Bending Strength (1400℃) | ≥ 50 ~ 100 MPa |
| Dẫn nhiệt (1000℃) | ≥ 28 ~ 42 W/(m·K) |
| Thermal Shock Resistance (1100℃ Water Quench) | ≥ 30 cycles without cracking |
Hộp nung carbide silic (SiC) là đồ lò hiệu suất cao then chốt. So với hộp nung cordierit-mullit hoặc corundum thông thường, SiC dẫn nhiệt cao hơn 3 đến 5 lần và hệ số giãn nở nhiệt thấp hơn rõ rệt. Đảm bảo phân bố nhiệt nhanh, đồng đều trên lò con lăn và lò đẩy, loại gradient nhiệt và nâng mạnh độ đồng nhất thiêu kết bột.
Hộp nung SiC có chống creep cao và khả năng chịu tải vượt trội ở nhiệt độ cao kéo dài, ngăn võng, cong vênh hay biến dạng đĩa. Bề mặt chịu lửa đặc chống xói hóa học từ muối lithium và khí quyển thiêu kết ăn mòn, bảo vệ độ tinh khiết bột và tuổi thọ chu kỳ dài.
| Chỉ tiêu | Đơn vị | Recrystallized SiC (RSiC) | Reaction Bonded SiC (SiSiC) | Nitride Bonded SiC (NSiC) |
|---|---|---|---|---|
| Hàm lượng SiC | % | ≥ 98 | ≥ 88 | ≥ 75 |
| Khối lượng thể tích | g/cm³ | ≥ 2.70 | ≥ 3.02 | ≥ 2.65 |
| Độ xốp biểu kiến | % | ≤ 15 | ≤ 0.5 | ≤ 14 |
| Cường độ uốn (20℃) | MPa | ≥ 90 | ≥ 250 | ≥ 160 |
| Flexural Strength (1400℃) | MPa | ≥ 100 | ≥ 280 (1200℃) | ≥ 180 |
| Refractoriness Under Load (0.2MPa) | ℃ | > 1700 | > 1380 | > 1650 |
| Nhiệt độ sử dụng tối đaerature | ℃ | 1650 | 1380 | 1500 |
| Dẫn nhiệt (1000℃) | W/(m·K) | ≥ 30 | ≥ 42 | ≥ 22 |
| Thermal Shock Chu kỳ (1100℃ Water Quench) | Chu kỳ | ≥ 35 | ≥ 30 | ≥ 25 |